|
Thông tin chi tiết sản phẩm:
|
| Gói nhựa: | 6*8mm | Phạm vi phản hồi quang phổ: | 400 đến 540 nm (p=460 nm) |
|---|---|---|---|
| Độ nhạy cao: | Độ nhạy cao | Đóng gói: | Kim loại |
| Loại đóng gói: | TO 18 | Độ nhạy (giá trị điển hình): | 0,5 A/W |
| Làm nổi bật: | Photovoltaic Silicon gần hồng ngoại,điốt quang đo khoảng cách quang học,điốt cảm biến quang điện hồng ngoại |
||
Mô tả sản phẩm:
YJJ S12023-02 Photovoltaic Silicon gần hồng ngoại cho thiết bị đo khoảng cách quang học
Đặc điểm:
Điện áp thiên vị thấp, phù hợp với băng tần 800 nm
Đây là một APD silicon hồng ngoại gần 800nm có thể hoạt động ở điện áp thiên vị thấp 200V hoặc ít hơn. Thích hợp cho FSO (Free Space Optics) và các ứng dụng đo xa quang học.
Tính năng sản phẩm
Hoạt động ổn định dưới điện áp thiên vị thấp
Phản ứng nhanh
Độ nhạy cao và tiếng ồn thấp
Các thông số chi tiết
Loại cận hồng ngoại (Hoạt động thiên vị thấp)
Nhạy cảm ánh sáng
Kim loại đóng gói
Loại đóng gói là TO-18
Độ dài sóng độ nhạy cao nhất (giá trị điển hình) 800 nm
Phạm vi phản ứng quang phổ là 400 đến 1000 nm
Độ nhạy (giá trị điển hình) 0,5a /W
Dòng điện tối (tối đa) 0,5Na
Tần số cắt (giá trị điển hình) 1000 MHz
Năng lượng nối (thường) 1 pF
Điện áp ngắt (giá trị điển hình) 150 V
Tỷ lệ nhiệt độ điện áp phá vỡ (giá trị điển hình) 0,65 V/°C
Lợi nhuận (giá trị điển hình) 100
Ta=25 °C, trừ khi có ghi chú, Độ nhạy quang: λ=800 nm, M=1
Thông số kỹ thuật:
| Khu vực nhạy quang | 0.2mm |
| loại đóng gói là | TO-18 |
| Độ dài sóng độ nhạy cao nhất (giá trị điển hình) | 800 nm |
| phạm vi phản ứng quang phổ là | 400 đến 1000 nm |
Người liên hệ: Miss. Xu
Tel: 86+13352990255
Vietnamese
