|
Thông tin chi tiết sản phẩm:
|
| Số điểm ảnh: | 1 | Bưu kiện: | Kim loại |
|---|---|---|---|
| Danh mục gói: | TO 18 | Tản nhiệt: | Loại không làm mát |
| Phạm vi bước sóng nhạy cảm: | 0,9 μm đến 1,9 μm | Bước sóng độ nhạy tối đa: | 1,75 m |
| Độ nhạy ảnh: | 1.1 A/W. | Dòng điện tối: | 10 nA |
| Làm nổi bật: | Đi-ốt quang PIN InGaAs không làm mát,Cảm biến quang điện hồng ngoại có bảo hành,Đi-ốt quang phát hiện khu vực nhạy sáng |
||
Mô tả sản phẩm:
YJJ G12180-003A Gói Diode PIN InGaAs cho Máy phân tích khí NDIR & Phổ cận hồng ngoại
Đặc trưng:
Diện tích nhạy sáng: φ1mm
Đặc tính sản phẩm
Nhiễu thấp
Điện dung mối nối thấp
Dòng tối thấp
Diện tích nhạy sáng: φ1mm
Thông số chi tiết
Diện tích nhạy sáng là φ1mm
Số lượng pixel là 1
Vỏ kim loại
Loại vỏ: TO-18
Chế độ làm mát Không làm mát
Dải đáp ứng phổ là 0,9 đến 1,7 μm
Bước sóng nhạy cảm đỉnh (giá trị điển hình) là 1,55 μm
Độ nhạy sáng (giá trị điển hình) 1,1 A/W
Dòng tối (Tối đa.) 4 nA
Tần số cắt (giá trị điển hình) 60 MHz
Điện dung mối nối (giá trị điển hình) 55 pF
Công suất nhiễu tương đương (giá trị điển hình) 1,4×10-14 W/Hz1/2
Điển hình. Ta=25 ℃, trừ khi có ghi chú khác, Độ nhạy ảnh: λ=λp, Dòng tối: VR= 5V, Tần số cắt: VR= 5V, RL= 50Ω, -3 dB, Điện dung đầu cuối: VR= 5V, f= 1MHz.
Thông số kỹ thuật:
| Diện tích nhạy sáng | 0,2mm |
| Loại vỏ là | TO-18 |
| Bước sóng nhạy cảm đỉnh (giá trị điển hình) | 800 nm |
| Dải đáp ứng phổ là | 400 đến 1000 nm |
![]()
Người liên hệ: Miss. Xu
Tel: 86+13352990255