|
Thông tin chi tiết sản phẩm:
|
| Phía nhận ánh sáng: | 10 × 10 mm | đóng gói: | gốm sứ |
|---|---|---|---|
| điện lạnh: | Không làm mát | Điện áp ngược (Max): | 5 V |
| Phạm vi đáp ứng quang phổ: | 190 đến 1100 Nm | Dòng điện tối (tối đa): | 200 pA |
| Làm nổi bật: | Photovoltaic Silicon Capacitance thấp,S1337-1010BR Silicon Photodiode,S1337-1010BQ Silicon Photodiode |
||
Các photovoltaic silicon S1337-1010BQ
Nó phù hợp với quang đo chính xác trong băng tần cực tím đến hồng ngoại
Đặc điểm
- Độ nhạy cao với tia UV: QE 75% (λ=200 nm)
- Capacity thấp
| Độ dài sóng độ nhạy tối đa (thường) | 960 nm |
| Độ nhạy ánh sáng (thường) | 0.5 A/W |
| Thời gian tăng (Thông thường) | 3 μs |
| Khả năng kết nối (thường) | 1100 pF |
| Công suất tương đương tiếng ồn (thường) | 1.8×10- 14W/Hz1/2 |
Photovoltaic silicon S1337-1010BR
Nó phù hợp với quang đo chính xác trong băng tần cực tím đến hồng ngoại
Đặc điểm
- Capacity thấp
| Mặt tiếp nhận ánh sáng | 10 × 10 mm |
| đóng gói | gốm |
| Phạm vi phản ứng quang phổ | 340 đến 1100 nm |
| Độ dài sóng độ nhạy tối đa (thường) | 960 nm |
| Độ nhạy ánh sáng (thường) | 0.62 A/W |
| Dòng điện tối (tối đa) | 200 pA |
Người liên hệ: Miss. Xu
Tel: 86+13352990255
