|
Thông tin chi tiết sản phẩm:
|
| Phía nhận ánh sáng: | 2,4×2,4mm | đóng gói: | Kim loại |
|---|---|---|---|
| Danh mục gói: | ĐẾN 5 | điện lạnh: | Không làm mát |
| Điện áp ngược (Max): | 5 V | Phạm vi đáp ứng quang phổ: | 320 đến 1000nm |
| Làm nổi bật: | S1226-5BQ Silicon Pin Photodiode,S1226-5BK Silicon Pin Photodiode,Độ nhạy NIR Silicon Pin Photodiode |
||
Photovoltaic silicon S1226-5BK
Nó phù hợp với quang đo chính xác trong dải bước sóng cực tím đến hiển thị; ức chế độ nhạy gần hồng ngoại
Đặc điểm
- Độ nhạy cao với tia UV: QE = 75% (λ = 200 nm)
- ức chế sự nhạy cảm của NIR
- Dòng điện tối thấp
- Độ tin cậy cao
| Độ dài sóng độ nhạy tối đa (thường) | 720 nm |
| Độ nhạy ánh sáng (thường) | 0.36 A/W |
| Dòng điện tối (tối đa) | 5 pA |
| Thời gian tăng (Thông thường) | 0.5 μs |
| Khả năng kết nối (thường) | 160 pF |
| Công suất tương đương tiếng ồn (thường) | 2.5×10- 15W/Hz1/2 |
Photovoltaic silicon S1226-5BQ
Nó phù hợp với quang đo chính xác trong dải bước sóng cực tím đến hiển thị; ức chế độ nhạy gần hồng ngoại
Đặc điểm
- Độ nhạy cao với tia UV: QE = 75% (λ = 200 nm)
- ức chế sự nhạy cảm của NIR
- Dòng điện tối thấp
- Độ tin cậy cao
| Mặt tiếp nhận ánh sáng | 2.4 × 2,4 mm |
| đóng gói | kim loại |
| Độ nhạy ánh sáng (thường) | 0.36 A/W |
| Khả năng kết nối (thường) | 160 pF |
| Phạm vi phản ứng quang phổ | 190 đến 1000 nm |
| Độ dài sóng độ nhạy tối đa (thường) | 720 nm |
Người liên hệ: Miss. Xu
Tel: 86+13352990255
