|
Thông tin chi tiết sản phẩm:
|
| Expected Operating Life: | Two years in air | Output Signal: | 1.70 ± 0.30 μA/ppm |
|---|---|---|---|
| Resolution: | 0.1ppm | Temperature Range: | -40°C to +50°C |
| Làm nổi bật: | Photovoltaic silicon băng tần nhìn thấy,Photovoltaic Silicon Infrared Band |
||
Mô tả sản phẩm:
S2387-33R Silicon photodiode phù hợp với máy đo quang phổ thông trong băng tần hiển thị đến hồng ngoại
Đặc điểm:
Photovoltaic pin silicon bốn pixel
S2387-66R là một pin pin photodiode silicon bốn pixel với độ nhạy trong quang phổ cực tím đến cận hồng ngoại.ví dụ như cho sự sắp xếp chùm tia laser.
đặc tính
- Bốn (2 × 2) định dạng pixel
- Tiếng xuyên qua thấp: tối đa 2%
- Phạm vi phản ứng phổ rộng: 190 đến 1000 nm
- Phản ứng tốc độ cao: fc = 20 MHz
- TO-5 gói kim loại
Số lượng pixel là 4 phân đoạn
Kim loại đóng gói
Nhóm gói TO-5
Loại làm lạnh không làm mát
Phạm vi bước sóng độ nhạy 190 đến 1000 nm
Độ dài sóng độ nhạy tối đa (giá trị điển hình) 720 nm
Độ nhạy quang (giá trị điển hình) 0,45A / W
Dòng điện tối (tối đa) 200 pA
Tần số cắt (giá trị điển hình) 20 MHz
Năng lượng nối (thường) 25 pF
Điều kiện đo Lượng thông thường Ta = 25°C, trừ khi có quy định khác
Đối với mỗi pixel (ngoại trừ bề mặt nhận ánh sáng), độ nhạy: λ = λp, dòng điện tối: VR = 5V, tần số cắt: VR = 5V, công suất nối: VR = 5V, f = 1MHz
Thông số kỹ thuật:
| Độ nhạy quang (giá trị điển hình) | 0.45A/W |
| Dòng điện tối (tối đa) | 200 pA |
| Thời gian tăng (giá trị điển hình) | 2μs |
| Năng lượng nối (giá trị điển hình) | 25 pF |
Người liên hệ: Miss. Xu
Tel: 86+13352990255
