|
Thông tin chi tiết sản phẩm:
|
| Khu vực chụp ảnh là: | 10 × 10 mm | Số điểm ảnh: | 1 |
|---|---|---|---|
| Làm lạnh và: | Không được làm mát | đóng gói: | Vật gốm |
| Điện áp ngược (Max.): | 5 V | Phạm vi phản hồi quang phổ IS190 đến 1100: | 190 đến 1100 Nm |
| Làm nổi bật: | S1337-1010BQ,Điốt quang tuyết lở diện tích lớn |
||
Mô tả sản phẩm:
S1337-1010BQ Silicon Photodiode cho quang đo chính xác từ UV đến IR Capacity thấp
Đặc điểm:
Thích hợp để xác định quang học chính xác từ dải cực tím đến dải đỏ
Tính năng sản phẩm
Độ nhạy cao với tia UV: QE = 75% (λ=200 nm)
Capacity thấp
Điều kiện đo Ta=25°C, Typ., Trừ khi có lưu ý khác, Độ nhạy quang: λ=960 nm, Điện tối: VR=10 mV, Thời gian tăng:VR=0 V, Capacity đầu cuối: VR=0 V, f=10 kHz
Thông số kỹ thuật:
| Độ dài sóng độ nhạy cao nhất (giá trị điển hình) | 960 nm |
| Độ nhạy (giá trị điển hình) | 0.5 A/W |
| Dòng điện tối (tối đa) | 200 pA |
| Thời gian tăng (giá trị điển hình) | 3 mu s |
| Năng lượng nối (giá trị điển hình) |
1100 pF
|
Người liên hệ: Xu
Tel: 86+13352990255
